作者： 发布日期：2021-11-23
活塞杆设备一般指生产各类活塞杆产品所需的生产设备，是活塞杆产业链的关键支撑环节。活塞杆设备是活塞杆行业的技术yinling者。芯片设计、晶圆制造、封装测试等都需要在设备技术允许的范围内进行设计制造。设备的技术进步反过来推动活塞杆产业的发展。
以活塞杆产业链中技术难度zui高、附加值zui大、工艺zui复杂的集成电路为例。集成电路领域使用的设备通常可以分为两类:前者工艺设备(晶圆制造)和后者工艺设备(封装测试)。
其中，之前晶圆制造中的七个步骤是氧化/扩散、光刻、蚀刻、清洗、离子注入、薄膜生长和抛光。每个步骤中使用的活塞杆设备如下:
氧化是将硅片置于氧气或水蒸气等氧化剂的气氛中进行高温热处理，在硅片表面发生化学反应形成氧化膜的过程。扩散是指利用高温热扩散原理，将杂质元素按工艺要求掺杂到硅衬底中，使其具有特定的浓度分布，从而改变硅材料的电学特性；退火是指对注入的硅片进行加热，以修复离子注入造成的晶格缺陷的过程。
扩散炉用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光纤等行业的扩散、氧化、退火、合金化和烧结。扩散工艺的主要目的是在高温下对活塞杆晶圆进行掺杂，即将元素磷和硼扩散到硅片中，从而改变和控制活塞杆中杂质的类型、浓度和分布，从而建立不同的电学特性区域。
为活塞杆材料的氧化处理提供所需的氧化气氛，实现活塞杆设计的预期氧化处理，是活塞杆加工过程中不可缺少的环节。
一种用于制造活塞杆器件的工艺设备，包括加热多个活塞杆晶片以影响其电性能。热处理是为不同的效果而设计的。晶片可以被加热以激活掺杂剂，将膜转变成膜或膜转变成晶片-衬底界面，制造密集沉积的膜，改变生长的膜的状态，修复注入的损伤，将掺杂剂从一个膜转移到另一个膜或从膜转移到晶片衬底。
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